NAND Flash (NAND Flash)
NAND Flash 協定分析設定。
更多應用、連接與量測說明請見 Protocol Solution — NAND Flash。
Supported Models
LA3000/LA4000
LA4000 僅於 B 系列支援 此功能需要額外購買 option 的功能。
BusFinder
BF6000 僅於 B 系列支援, BF7000 全系列都支援 此功能需要額外購買 option 的功能。
Settings
- 設定:
- Sample Rate: 選擇取樣率。若要開啟 Secondary Protocol Analyzer(SD 3.0/eMMC)，取樣率須設為 1 GHz 以下。Default 為 2.4 GHz。
- Primary Protocol Analyzer: 選擇 NAND Probe，或 Custom NAND 自訂通道/接線。
- Secondary Protocol Analyzer or I/O: 以剩餘腳位同時開啟 SD 3.0、eMMC 或 I/O 分析。
- Vendor: 選擇 NAND 廠牌/型號；若無合適項目可選 Custom 自訂 Command Set(工作目錄有範例，可 Edit/Refresh 後套用)。畫面會顯示 Startup mode、tREA、tDQSQ 等狀態。Default 顯示約 Startup mode: SDR; tREA >= 30 ns。
- Filter: 勾選後 Data Length > 欄位啟用(Enable)——每一筆 Data Frame 超過設定位元組數的資料不記錄。Default 為未勾選。
- Option:
- Invert RE# (W/R#)/Invert DQS: DDR 模式下若接到反向的 RE/DQS 差動訊號線，勾選以告知軟體。Default 為未勾選。
- Don't care R/B: 忽略 R/B，可不接 R/B 訊號線。勾選後 Busy time 相關項可能欄位停用(Disable)。Default 為未勾選。
- Single R/B#: Multi-CE 時，勾選以 Read Status Ready 顯示 Busy time；未勾選則以 R/B 判斷。Default 為未勾選。
- Remove READ STATUS Command (Busy State): 移除重複的 Not Ready Polling Read Status，避免佔滿報告列數。Default 為勾選。
- Set Row Addressing: 將 Row Address 細分為 Page/Word Line/Plane/Block/LUN 等；勾選後 Set 按鈕欄位啟用(Enable)，開啟 Set Row Addressing 彈出視窗(見下方說明)。預設值來自 NAND Command Set。Default 為未勾選。
- 觸發設定:
- Trigger on: 勾選後可設定 CMD/ADDR/DATA、Busy time check、VCC1(A0)/VCC2(A1) Drop；子項勾選後齒輪欄位啟用(Enable)，首次勾選通常開啟彈出視窗。彈出視窗 Default: CMD XXh、Row XXXXXXh、Data 依寬度 XXh/XXXXh；Busy 時間約 250 ms。Default 為 Trigger on 與各子項未勾選。
- VCC1(A0) Drop/VCC2(A1) Drop: 電壓下降觸發；開啟 Voltage Range Settings(說明見 Settings — Voltage Range Settings)。常見範圍約 VDD1 2.70~3.60 V、VDD2 1.70~1.95 V。
- Trigger on: 勾選後可設定 CMD/ADDR/DATA、Busy time check、VCC1(A0)/VCC2(A1) Drop；子項勾選後齒輪欄位啟用(Enable)，首次勾選通常開啟彈出視窗。彈出視窗 Default: CMD XXh、Row XXXXXXh、Data 依寬度 XXh/XXXXh；Busy 時間約 250 ms。Default 為 Trigger on 與各子項未勾選。
在 Option → Set Row Addressing 勾選後按 Set 開啟此視窗: 可定義 Page/Block(或 Word Line/Plane/LUN 等)位元長度，並在 Row Addressing 表中對應各 cycle 的 I/O 0~7(例如 P0P6、B0B8)；可勾選 Show Row Addressing in the Report 於報告顯示，並以 Default/Reset 還原或清除。
