NAND Flash Trigger
NAND Flash 觸發可依通道與資料寬度、Startup Mode、tREA／tDQSQ、Busy 期間可接受的 Command、Busy time check，或以 Clause Trigger 比對 Address／Command／Data。
Protocol Decode 說明：NAND Flash
Trigger Settings
- Channel: CLE、ALE、RE、WE、CE、R/B、DQS；可勾選 Reverse RE／Reverse DQS勾選；Reverse RE／Reverse DQS 為未勾選。
- DATA: x8／x16 bit。Default 為 x8。
- 快速設定: 僅設 LSB，軟體自動設定其餘通道（例如 LSB＝B0 則 MSB＝B7；LSB＝B7 則 MSB＝B14）勾選。
- 手動設定: 按下旁邊按鍵開啟彈出視窗逐通道指定。
- Startup Mode: 觸發 DDR 模式之 Command／Address／Data 時，請勾選 DQS，並勾選 Flash 初始模式（Toggle／ONFI DDR Mode）；SDR 模式可忽略。Default：Init DDR 為未勾選。
- tREA／tDQSQ: 讀取資料時並非在訊號變化緣（Edge）立即取樣，而是延遲一段時間後讀取；SDR 為 tREA、DDR 為 tDQSQ。Default：tREA 20 ns（拉桿 200）；tDQSQ 500 ps（拉桿 5）。
- Commands accepted during busy: Busy time check 啟用時仍可觸發的 Command。Default 為勾選；Default Command 為 70h／FFh／78h／7Bh（其餘 XXh）。空白則 Busy 期間的 Command 會被忽略。
- Busy time check: 勾選後按 Setting… 開啟彈出視窗。Default 為未勾選。提供 6 組檢查，每組最多 4 個 Command；Busy time ≥ 設定值即觸發。
- Clause Trigger: 詳見 Clause Trigger。
- 觸發條件設定區: 於 Address、Command、Data 輸入資料樣式，XXh／X＝Don't care。
圖中游標 T 與游標 A 間之時間即為 tREA：
圖中游標 T 與游標 A 間之時間即為 tDQSQ：
開啟 Commands accepted during busy 彈出視窗：
觸發於 Busy 狀態下的 Command 70h：
Busy time check 彈出視窗（例：Command 10h 且 Busy time ≥ 25 µs）：
