NAND Flash Trigger
NAND Flash 触发可根据通道与数据宽度、Startup Mode、tREA/tDQSQ、Busy 期间可接受的 Command、Busy time check,或以 Clause Trigger 比对 Address/Command/Data。
Protocol Decode 說明:NAND Flash
Trigger Settings
- Channel: CLE、ALE、RE、WE、CE、R/B、DQS;可勾选 Reverse RE/Reverse DQS勾选;Reverse RE/Reverse DQS 为未勾选。
- DATA: x8/x16 bit。Default 为 x8。
- 快速设置: 仅设 LSB,软件自动设置其余通道(例如 LSB=B0 则 MSB=B7;LSB=B7 则 MSB=B14)。Default 为勾选。
- 手动设置: 按下旁边按键打开弹出窗口逐通道指定。
- Startup Mode: 触发 DDR 模式之 Command/Address/Data 时,请勾选 DQS,并勾选 Flash 初始模式(Toggle/ONFI DDR Mode);SDR 模式可忽略。Default:Init DDR 为未勾选。
- tREA/tDQSQ: 读取数据时并非在信号变化边沿立即采样,而是延迟一段时间后读取;SDR 为 tREA、DDR 为 tDQSQ。Default:tREA 20 ns(拉杆 200);tDQSQ 500 ps(拉杆 5)。
- Commands accepted during busy: Busy time check 启用时仍可触发的 Command。Default 为勾选;默认 Command 为 70h/FFh/78h/7Bh(其余 XXh)。空白则 Busy 期间的 Command 会被忽略。
- Busy time check: 勾选后按 Setting… 打开弹出窗口。Default 为未勾选。提供 6 组检查,每组最多 4 个 Command;Busy time ≥ 设定值即触发。
- Clause Trigger: 详见 Clause Trigger。
- 触发条件设置区: 于 Address、Command、Data 输入数据样式,XXh/X=Don't care。
图中游标 T 与游标 A 间之时间即为 tREA:
图中游标 T 与游标 A 间之时间即为 tDQSQ:
打开 Commands accepted during busy 弹出窗口:
触发于 Busy 状态下的 Command 70h:
Busy time check 弹出窗口(例:Command 10h 且 Busy time ≥ 25 µs):