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NAND Flash

快閃記憶體分為 NOR 型與 NAND 型。NAND Flash 相較於 NOR Flash 具有較高的儲存密度與較低的每位元成本。然而 NAND Flash 的 I/O 介面並沒有隨機存取外部定址匯流排,必須以區塊性方式讀取;今日隨身碟與多數記憶卡上都可看到 NAND Flash。

Device Width、啟動模式或 tREA/tDQSQ 與裝置不符時讀寫資料會解錯。通道前綴差異見 Settings。

Protocol Trigger 說明:NAND Flash Trigger

Decode Settings

Decode Settings

NAND Flash Decode Settings
  • 通道設定: 指定 CLE、ALE、RE、WE、CE、R/B、DQS 與 I/O 等通道。
  • Device Width: 設定 8/16 bits 資料通道。Default 為 x8。
  • I/O 訊號自動遞增/自定義: 選擇自動遞增(I/O Quick Setup)時,只需設定 I/O0(LSB),其他通道會自動擴增;選自定義(I/O User Defined)時需另開對話框逐通道設定I/O Quick Setup。

I/O User Defined

I/O User Defined
  • Flash 初始模式/Analysis Mode: 含 SDR 與 Toggle/ONFI DDR 等。Default 為 Toggle/ONFI DDR(索引 1)。
  • tREA/tDQSQ(及 tDS/tDH): 設定 SDR/DDR 下讀取延遲。選定裝置常有預設值;若讀在轉態處導致數值不正確,請調到訊號穩定點。Default 滑桿常為 5。
  • 儲存 NAND Flash Data: 勾選後於 LA 工作目錄(預設:我的文件\Acute\)以 Bin 儲存 Read/Write 資料,檔名依當時讀寫操作命名。勾選時欄位啟用(Enable)。
  • 不顯示 BUSY 狀態: 報告視窗顯示/不顯示 BUSY START/BUSY END 等。勾選時欄位啟用(Enable)。
  • 顯示 Erase 次數: 顯示 NAND Erase command/address 統計。勾選時欄位啟用(Enable)。Default 為未勾選。
  • 顯示/隱藏資料(Hide Items): 依條件隱藏/顯示報告內容。勾選時欄位啟用(Enable)。Default 為未勾選。
  • Invert RE# (W/R#)/Invert DQS: DDR 模式下若誤接 RE/DQS#,可勾選後解碼。勾選時欄位啟用(Enable)。
  • 不填滿報告 Address 欄位/Auto-fill Address: 未勾選填滿時會自動計算 Write/Read address 並填滿;勾選則不填滿。Default:Auto-fill Address 為未勾選。
  • 忽略 ALE/CE#/RB# 訊號: 勾選可忽略該腳位;忽略 ALE 時需選定 2 或 3 byte Row Address。勾選時欄位啟用(Enable)。
  • 報告每列 Byte 數: 8/16/24/32。Default 為 16。
  • 儲存檔名範例: 如 NF_DI_Row017821h_Col0000h_CE1_1.bin;內容可與報告視窗對照。
  • 裝置資訊:
    • 製造商: 選擇正確或命令格式相容的型號以便命令解析;選 Custom 可自建指令表(見下)。Default 為製造商 ONFI。
    • 型號: 支援之 NAND Flash 型號。Default 為型號清單索引 3。
  • Custom 自行建立指令表說明: 欲使用此功能,請先在 LA 工作目錄下(預設路徑:我的文件\Acute\)建立 AqNFCustom.txt。Manufacturer、PartNo、#CE/RB、X16、SyncMode、Cmd 為關鍵字,必須輸入且不可修改。
  • 指令列範例: Cmd=Read, Read, tR, 60, , , N, N, N, 00, 30;Cmd=Read Status, Read Stat., , , , , Y, N, Y ,70;Cmd=Two-Plane Page Program, TPP Prog., tDBSY, 1, tPROG, 5000, N, Y, N, 80, 11, 81, 10。
  • 欄位說明:
    • 完整/縮寫名稱: 如 Read Status/Two-Plane Page Program 為完整名稱;Read Stat./TPP Prog. 為縮寫(波形區過長時使用)。
    • Busy Time 檢查: 如 tDBSY 為 1 µs、tPROG 為 5000 µs;超過會在報告顯示。不檢查時請填空白並加逗號;名稱可由使用者自訂。
    • 三個旗標: 以 Cmd=Read Status, Read Stat., Y, N, Y ,70 為例:第 1 個 Y 表示可作用於 Busy;第 2 個 N 表示不允許被特定指令插入;第 3 個 Y 表示允許插入多階指令(例如 70h 可插入 Two-Plane Page Program 的 11h 與 81h 之間)。選擇 Custom 後,型號會顯示檔案中的廠商/型號,並依指令顯示分析結果。
  • Timing Check: 需使用時請於 AqNFCustom.txt 前段加入下列敘述;不用則可不填。
    • Spec: 僅可填 ONFI 或 Toggle。
    • Version: ONFI 填 SDR/NV-DDR/NV-DDR2-3;Toggle 填 Legacy/1.0/2.0。
    • TimingCheck: Y/N;Y 表示啟用。格式為項目名稱, 時間最小值, 時間最大值(單位 ns)。項目名稱須為 ONFI/Toggle 附錄所列,其餘忽略。不需要的時間填 X;兩者皆 X 則忽略該項。
    • 結果顯示: 報告 Information 欄:違規紅色、正常黑色;含測試項目、量測時間、設定範圍。
    • 平均值備註: tDQSH/tDQSL:0.45 × tDSC(avg);tQSH/tQSL:0.37 × tRC(avg);tREH/tRP:0.43 × tRC(avg)。採用時須在檔案前端加入對應敘述;否則可設 UsedtRCavg=N、UsedtDSCavg=N 或以 Min/Max 處理。

Result

NAND Flash 解碼結果

NAND Flash 解碼結果

Timing Check

Timing Check

Timing Check