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NAND Flash

闪存分为 NOR 型与 NAND 型。NAND Flash 相较于 NOR Flash 具有较高的储存密度与较低的每位成本。然而 NAND Flash 的 I/O 接口并没有随机存取外部寻址总线,必须以区块性方式读取;今日随身碟与多数记忆卡上都可看到 NAND Flash。

Device Width、启动模式或 tREA/tDQSQ 与装置不符时读写数据会解错。通道前缀差异见 Settings。

Protocol Trigger 說明:NAND Flash Trigger

Decode Settings

Decode Settings

NAND Flash Decode Settings
  • 通道设置: 指定 CLE、ALE、RE、WE、CE、R/B、DQS 与 I/O 等通道。
  • Device Width: 设置 8/16 bits 数据通道。Default 为 x8。
  • I/O 信号自动递增/自定义: 选择自动递增(I/O Quick Setup)时,只需设置 I/O0(LSB),其他通道会自动扩增;选自定义(I/O User Defined)时需另开对话框逐通道设置I/O Quick Setup。

I/O User Defined

I/O User Defined
  • Flash 初始模式/Analysis Mode: 含 SDR 与 Toggle/ONFI DDR 等。Default 为 Toggle/ONFI DDR(索引 1)。
  • tREA/tDQSQ(及 tDS/tDH): 设置 SDR/DDR 下读取延迟。选定装置常有默认值;若读在跳变处导致数值不正确,请调到信号稳定点。Default 滑杆常为 5。
  • 储存 NAND Flash Data: 勾选后于 LA 工作目录(默认:我的文档\Acute\)以 Bin 储存 Read/Write 数据,文件名依当时读写操作命名。勾选时栏位启用(Enable)。
  • 不显示 BUSY 状态: 报告窗口显示/不显示 BUSY START/BUSY END 等。勾选时栏位启用(Enable)。
  • 显示 Erase 次数: 显示 NAND Erase command/address 统计。勾选时栏位启用(Enable)。Default 为未勾选。
  • 显示/隐藏数据(Hide Items): 依条件隐藏/显示报告内容。勾选时栏位启用(Enable)。Default 为未勾选。
  • Invert RE# (W/R#)/Invert DQS: DDR 模式下若误接 RE/DQS#,可勾选后解码。勾选时栏位启用(Enable)。
  • 不填满报告 Address 字段/Auto-fill Address: 未勾选填满时会自动计算 Write/Read address 并填满;勾选则不填满。Default:Auto-fill Address 为未勾选。
  • 忽略 ALE/CE#/RB# 信号: 勾选可忽略该脚位;忽略 ALE 时需选定 2 或 3 byte Row Address。勾选时栏位启用(Enable)。
  • 报告每行 Byte 数: 8/16/24/32。Default 为 16。
  • 保存文件名示例: 如 NF_DI_Row017821h_Col0000h_CE1_1.bin;内容可与报告窗口对照。
  • 装置信息:
    • 制造商: 选择正确或命令格式兼容的型号以便命令解析;选 Custom 可自建指令表(见下)。Default 为制造商 ONFI。
    • 型号: 支持的 NAND Flash 型号。Default 为型号列表索引 3。
  • Custom 自行建立指令表说明: 欲使用此功能,请先在 LA 工作目录下(默认路径:我的文档\Acute\)建立 AqNFCustom.txt。Manufacturer、PartNo、#CE/RB、X16、SyncMode、Cmd 为关键词,必须输入且不可修改。
  • 指令行示例: Cmd=Read, Read, tR, 60, , , N, N, N, 00, 30;Cmd=Read Status, Read Stat., , , , , Y, N, Y ,70;Cmd=Two-Plane Page Program, TPP Prog., tDBSY, 1, tPROG, 5000, N, Y, N, 80, 11, 81, 10。
  • 字段说明:
    • 完整/缩写名称: 如 Read Status/Two-Plane Page Program 为完整名称;Read Stat./TPP Prog. 为缩写(波形区过长时使用)。
    • Busy Time 检查: 如 tDBSY 为 1 µs、tPROG 为 5000 µs;超过会在报告显示。不检查时请填空白并加逗号;名称可由用户自定义。
    • 三个旗标: 以 Cmd=Read Status, Read Stat., Y, N, Y ,70 为例:第 1 个 Y 表示可作用于 Busy;第 2 个 N 表示不允许被特定指令插入;第 3 个 Y 表示允许插入多阶指令(例如 70h 可插入 Two-Plane Page Program 的 11h 与 81h 之间)。选择 Custom 后,型号会显示文件中的厂商/型号,并按指令显示分析结果。
  • Timing Check: 需使用时请于 AqNFCustom.txt 前段加入下列叙述;不用则可不填。
    • Spec: 仅可填 ONFI 或 Toggle。
    • Version: ONFI 填 SDR/NV-DDR/NV-DDR2-3;Toggle 填 Legacy/1.0/2.0。
    • TimingCheck: Y/N;Y 表示启用。格式为项目名称, 时间最小值, 时间最大值(单位 ns)。项目名称须为 ONFI/Toggle 附录所列,其余忽略。不需要的时间填 X;两者皆 X 则忽略该项。
    • 结果显示: 报告 Information 栏:违规红色、正常黑色;含测试项目、测量时间、设置范围。
    • 平均值备注: tDQSH/tDQSL:0.45 × tDSC(avg);tQSH/tQSL:0.37 × tRC(avg);tREH/tRP:0.43 × tRC(avg)。采用时须在文件前端加入对应叙述;否则可设 UsedtRCavg=N、UsedtDSCavg=N 或以 Min/Max 处理。

Result

NAND Flash 解码结果

NAND Flash 解码结果

Timing Check

Timing Check

Timing Check